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SAM Abzieher, 170 Ext. / 195 Int., 3-teilig, 4N, Typ Lagerabzieher

About The / 195 int., 3-teilig, 4N, Typ Lagerabzieher, Gehäuse Material: Stahl, MPN: EX-007-180

SAM Abzieher, 170 ext. / 195 int., 3-teilig, 4N, Typ Lagerabzieher, Gehäuse Material: Stahl, MPN: EX-007-180

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Specifications of SAM Abzieher, 170 Ext. / 195 Int., 3-teilig, 4N, Typ Lagerabzieher

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onsemi MJB41CG SMD, NPN Transistor 100 V / 6 A 1 MHz, D2PAK (TO-263) 3-Pin
  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • Bipolare Transistoren
  • onsemi
    • Macronix MX29F Flash-Speicher 8MBit, 1Mx8 Bit, 512Kx16 Bit, Parallel, 70ns, TSOP, 48-Pin, 4,5 V bis 5,5 V

    Macronix MX29F Flash-Speicher 8MBit, 1Mx8 Bit, 512Kx16 Bit, Parallel, 70ns, TSOP, 48-Pin, 4,5 V bis 5,5 V

    : –40 °C, MPN: MX29F800CBTI-70G/TRAY.1mm, Abmessungen: 18.05mm, Betriebstemperatur max.05mm, Breite: 12.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Speicherbausteine
  • Flash-Speicher
  • Macronix
    • RS PRO Kohleschicht Widerstand 56kΩ ±5% / 2W

    RS PRO Kohleschicht Widerstand 56kΩ ±5% / 2W

    RS PRO Kohleschicht Widerstand 56kΩ ±5% / 2W, Betriebstemperatur max.: -55°C.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Passive Bauelemente
  • Festwiderstände
  • Durchsteckwiderstände
  • RS PRO
    • DiodesZetex DMN5L06K-7 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN5L06K-7 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN5L06K-7 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • DiodesZetex
    • DiodesZetex DMN5L06K-7 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN5L06K-7 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23

    DiodesZetex DMN5L06K-7 N-Kanal, SMD MOSFET 50 V / 300 mA 350 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

  • Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
  • Halbleiter
  • Diskrete Halbleiter
  • MOSFET
  • DiodesZetex