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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Wurth Elektronik WE-PD SMD Induktivität, 47 μH 1.95A, 1245 Gehäuse 12mm / ±20%, 9.7MHz

About The 95A, 1245 Gehäuse 12mm / ±20%, 9.5mm, Abmessungen: 12 x 12 x 4

Wurth Elektronik WE-PD SMD Induktivität, 47 μH 1.95A, 1245 Gehäuse 12mm / ±20%, 9.7MHz, Höhe: 4.5mm, Abmessungen: 12 x 12 x 4.5mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 125mΩ, Betriebstemperatur max.: +125°C, Betriebstemperatur min.: -40°C, MPN: 7447715470

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Specifications of Wurth Elektronik WE-PD SMD Induktivität, 47 μH 1.95A, 1245 Gehäuse 12mm / ±20%, 9.7MHz

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Toshiba THT Optokoppler AC-In / MOSFET-Out, 4-Pin DIP, Isolation 5000 V eff
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    • Toshiba THT Optokoppler AC-In / Logikgatter-Out, 8-Pin DIP, Isolation 5000 V eff

    Toshiba THT Optokoppler AC-In / Logikgatter-Out, 8-Pin DIP, Isolation 5000 V eff

    : 1.Toshiba THT Optokoppler AC-In / Logikgatter-Out, 8-Pin DIP, Isolation 5000 V eff, Durchlassspannung max.

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    • Infineon HEXFET IRFP7718PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

    Infineon HEXFET IRFP7718PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247

    Infineon HEXFET IRFP7718PBF N-Kanal, THT MOSFET 75 V / 355 A 517 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.87mm, Betriebstemperatur max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.

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    Wurth Elektronik WE-PD2 SMD Induktivität, 5,6 μH 1.58A, 4532 Gehäuse 4.5mm / ±20%, 40MHz

    : 69mΩ, Induktivitätsbauweise: Ungeschirmt, Betriebstemperatur max.Wurth Elektronik WE-PD2 SMD Induktivität, 5,6 μH 1.

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    Wurth Elektronik WE-PD2 SMD Induktivität, 5,6 μH 1.58A, 4532 Gehäuse 4.5mm / ±20%, 40MHz

    2mm, Abmessungen: 4.5mm / ±20%, 40MHz, Tiefe: 4mm, Höhe: 3.

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