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Vishay SI3473CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6

About The 4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SI3473CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max

Vishay SI3473CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 36 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: -1V, Gate-Schwellenspannung min.: -0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Specifications of Vishay SI3473CDV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6

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