Toshiba PNP Darlington-Transistor 100 V 7 A HFE:1000, TO-220SIS 3-Pin, Basis-Emitter Spannung max.: 6 V, Montage-Typ: THT, Konfiguration: Single, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: 2 V, Kollektor-Basis-Spannung max.: 120 V, Kollektor-Abschaltstrom max.: 2µA, Basisstrom: 0.7A, MPN: TTD1415B,S4X(S
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Toshiba PNP Darlington-Transistor 100 V 7 A HFE:1000, TO-220SIS 3-Pin
Specifications of Toshiba PNP Darlington-Transistor 100 V 7 A HFE:1000, TO-220SIS 3-Pin | |
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