Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 345 A, 8-Pin DirectFET L8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0015 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: AUIRF7749L2TR
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Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 345 A, 8-Pin DirectFET L8
Specifications of Infineon HEXFET N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 345 A, 8-Pin DirectFET L8 | |
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