Infineon SIPMOS SPD30P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : +175 °C.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon SIPMOS SPD30P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 75 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 6.73mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon SIPMOS SPD30P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Infineon SIPMOS SPD30P06PGBTMA1 P-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 30 A 125 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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