Onsemi NTTFS4C02N NTTFS4C02NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A 4,2 W, 8-Pin WDFN
About The 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NTTFS4C02N NTTFS4C02NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A 4,2 W, 8-Pin WDFN, Drain-Source-Widerstand max.: 3,1 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.1V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NTTFS4C02N NTTFS4C02NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A 4,2 W, 8-Pin WDFN
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Specifications of Onsemi NTTFS4C02N NTTFS4C02NTAG N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 29 A 4,2 W, 8-Pin WDFN | |
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