IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264
About The IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C
IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 kW, 3-Pin PLUS264, Drain-Source-Widerstand max.: 56 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 20.29mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264
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Specifications of IXYS HiperFET, Polar3 IXFB110N60P3 N-Kanal, THT MOSFET 600 V / 110 A 1,89 KW, 3-Pin PLUS264 | |
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