Onsemi UniFET FDP61N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 61 A 417 W, 3-Pin TO-220AB
About The : 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.4mm, Länge: 10
onsemi UniFET FDP61N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 61 A 417 W, 3-Pin TO-220AB, Montage-Typ: Durchsteckmontage, Drain-Source-Widerstand max.: 41 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Höhe: 9.4mm, Länge: 10.67mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi UniFET FDP61N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 61 A 417 W, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Onsemi UniFET FDP61N20 N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 61 A 417 W, 3-Pin TO-220AB | |
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