Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin
About The 7mm, Betriebstemperatur max.7 x 15
Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin, Organisation: 1 K x 8, Zugriffszeit max.: 100ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: THT, Abmessungen: 61.7 x 15.24 x 3.8mm, Länge: 61.7mm, Betriebstemperatur max.: +70 °C, MPN: 7130LA35PDG
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Speicherbausteine > SRAM
Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin
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Specifications of Renesas Electronics 16kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 2K, 16bit / Wort, 4,5 V Bis 5,5 V, PDIP-48 48-Pin | |
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