Onsemi PowerTrench FDD8870 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 160 A 160 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The : 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: -20 V, +20 V, Höhe: 2
onsemi PowerTrench FDD8870 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 160 A 160 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 6,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1.2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.39mm, Länge: 6.73mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi PowerTrench FDD8870 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 160 A 160 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of Onsemi PowerTrench FDD8870 N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 160 A 160 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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