Vishay SI1029X-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 MA, 300 MA 250 MW, 6-Pin SC-89-6
About The 7mm.: -20 V, +20 V, Höhe: 0
Vishay SI1029X-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 mA, 300 mA 250 mW, 6-Pin SC-89-6, Channel-Typ: N, P, Gehäusegröße: SOT-523 (SC-89), Drain-Source-Widerstand max.: 3 Ω, 8 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 0.6mm, Länge: 1.7mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI1029X-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 MA, 300 MA 250 MW, 6-Pin SC-89-6
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Specifications of Vishay SI1029X-T1-GE3 N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 60 V / 190 MA, 300 MA 250 MW, 6-Pin SC-89-6 | |
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