Vishay SI2305CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 MW, 3-Pin SOT-23
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Vishay SI2305CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 mW, 3-Pin SOT-23, Drain-Source-Widerstand max.: 35 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.04mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI2305CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 MW, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Vishay SI2305CDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 8 V / 4.4 A 960 MW, 3-Pin SOT-23 | |
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