Infineon HEXFET IRFP4332PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247AC
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Infineon HEXFET IRFP4332PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247AC, Drain-Source-Widerstand max.: 33 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.9mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFP4332PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247AC
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Specifications of Infineon HEXFET IRFP4332PBF N-Kanal, THT MOSFET 250 V / 57 A 360 W, 3-Pin TO-247AC | |
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