Infineon 700V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin SOT-223, Drain-Source-Widerstand max.: 0,36 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.5V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPN70R360P7SATMA1
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Infineon 700V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin SOT-223
Specifications of Infineon 700V CoolMOS™ P7 N-Kanal, SMD MOSFET 700 V / 12,5 A, 3-Pin SOT-223 | |
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