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Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 1 μH 180mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

About The 2mm, MPN: 7447603100A.Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 1 μH 180mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, Tiefe: 1

Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 1 μH 180mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm, Tiefe: 1.2mm, MPN: 7447603100A

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Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 1 μH 180mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

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Specifications of Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 1 μH 180mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm

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Wurth Elektronik SMD Induktivität Drosselspule, 1 μH 180mA AEC-Q200, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm
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onsemi PowerTrench FDP3672 N-Kanal, THT MOSFET 105 V / 5,9 A 135 W, 3-Pin TO-220AB

onsemi PowerTrench FDP3672 N-Kanal, THT MOSFET 105 V / 5,9 A 135 W, 3-Pin TO-220AB

: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.

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    • onsemi Buffer & Line-Driver Puffer 74HC 8-Bit 3-State Inverting 20-Pin SOIC, Eingangs-Typ: LS-TTL, Ausgangs-Typ: 3 Zustände, Montage-Typ: SMD, Ausgangsstrom H-Pegel max.: 7.8mA, Signalverzögerungszeit @ max.
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