Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP
About The : 0,0098 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0098 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: Si6423ADQ-T1-GE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay TrenchFET P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 12,5 A, 8-Pin TSSOP | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
