ROHM QS6M4TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6, Channel-Typ: N, P, Drain-Source-Widerstand max.: 430 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.7V, Gate-Source Spannung max.: ±12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM QS6M4TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6
Specifications of ROHM QS6M4TR N/P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,5 A 1,25 W, 6-Pin TSMT-6 | |
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