Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC
About The : 2.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1
Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13,7 mΩ, 20,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.35V, Gate-Schwellenspannung min.: 1.35V, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1V, Höhe: 1.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC
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Specifications of Infineon HEXFET IRF7907TRPBF N-Kanal Dual, SMD MOSFET 30 V / 9,1 A, 11 A 2 W, 8-Pin SOIC | |
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