Nexperia PEMB10,115 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V, SOT 6-Pin
About The : +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, Widerstandsverhältnis: 21, Automobilstandard: AEC-Q101
Nexperia PEMB10,115 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V, SOT 6-Pin, Verlustleistung max.: 300 mW, Anzahl der Elemente pro Chip: 2, Basis-Emitter-Widerstand: 47kΩ, Abmessungen: 1.7 x 1.3 x 0.6mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C, Eingangswiderstand typ.: 2,2 kΩ, Widerstandsverhältnis: 21, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > Bipolare Transistoren
Nexperia PEMB10,115 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V, SOT 6-Pin
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Specifications of Nexperia PEMB10,115 SMD, PNP Digitaler Transistor Dual –50 V, SOT 6-Pin | |
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