ROHM IGBT / 30 A 30V max., 650 V 133 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal, Montage-Typ: THT, Transistor-Konfiguration: Einfach, Abmessungen: 10.1 x 4.5 x 9mm, Gate-Kapazität: 780pF, Betriebstemperatur max.: +175 °C, Betriebstemperatur min.: –40 °C, MPN: RGT30NS65DGC9
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ROHM IGBT / 30 A 30V Max., 650 V 133 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal
Specifications of ROHM IGBT / 30 A 30V Max., 650 V 133 W, 3+Tab-Pin TO-262 P-Kanal | |
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