Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
About The : 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR580DP-T1-RE3.Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0027 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiR580DP-T1-RE3
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8
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Specifications of Vishay TrenchFET N-Kanal Dual, SMD MOSFET 80 V / 146 A, 8-Pin PowerPAK SO-8 | |
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