STMicroelectronics STripFET STD20NF20 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
About The 4mm.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
STMicroelectronics STripFET STD20NF20 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 125 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 2.4mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
STMicroelectronics STripFET STD20NF20 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
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Specifications of STMicroelectronics STripFET STD20NF20 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 18 A 110 W, 3-Pin DPAK (TO-252) | |
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