Vishay SQ Rugged SQ3460EV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6
About The : +175 °C.Vishay SQ Rugged SQ3460EV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max
Vishay SQ Rugged SQ3460EV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 53 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 3.1mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SQ Rugged SQ3460EV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6
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Specifications of Vishay SQ Rugged SQ3460EV-T1_GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 8 A 3,6 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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