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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul TTL 5 A 4.5 → 20V 6-Pin SOT-23 6ns

About The Infineon Gate-Ansteuerungsmodul TTL 5 A 4.5 → 20V 6-Pin SOT-23 6ns, MPN: 2EDN7534BXTSA1

Infineon Gate-Ansteuerungsmodul TTL 5 A 4.5 → 20V 6-Pin SOT-23 6ns, MPN: 2EDN7534BXTSA1

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Specifications of Infineon Gate-Ansteuerungsmodul TTL 5 A 4.5 → 20V 6-Pin SOT-23 6ns

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Infineon Gate-Ansteuerungsmodul TTL 5 A 4.5 → 20V 6-Pin SOT-23 6ns
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RS PRO Tafelmontage Kippschalter 1-polig Ein-Ein 3 A, IP 67, Lötfahne

RS PRO Tafelmontage Kippschalter 1-polig Ein-Ein 3 A, IP 67, Lötfahne

RS PRO Tafelmontage Kippschalter 1-polig Ein-Ein 3 A, IP 67, Lötfahne, Kontaktanordnung: 2-poliger Umschalter, 1-poliger Umschalter, Beleuchtet: Nein, Betätigermaterial: Verchromtes Messing, Kontaktmaterial: Silber, Kontaktwiderstand: 20mΩ.

  • Elektromechanik & Automation und Kabel
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  • Kippschalter
  • RS PRO
    • Vishay SIDR5802EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 153 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

    Vishay SIDR5802EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 153 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC

    Vishay SIDR5802EP-T1-RE3 N-Kanal, SMD MOSFET 80 V / 153 A, 8-Pin PowerPAK SO-8DC.

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    • Telegartner Telegärtner Stecker Koaxialsteckverbinder SMA-Steckverbinder, Kabelmontage, Crimp-Anschluss, für 1.5/3.8, 1.5/3.8
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  • Koaxial HF Steckverbinder & Adapter
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    • TE Connectivity RH73 Dickschicht SMD-Widerstand 1GΩ ±30% / 0.125W ±1000ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity RH73 Dickschicht SMD-Widerstand 1GΩ ±30% / 0.125W ±1000ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : +125°C, MPN: RH73W2A1GNTN.125W ±1000ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.: -55°C, Betriebstemperatur max.

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  • TE Connectivity
    • TE Connectivity RH73 Dickschicht SMD-Widerstand 1GΩ ±30% / 0.125W ±1000ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    TE Connectivity RH73 Dickschicht SMD-Widerstand 1GΩ ±30% / 0.125W ±1000ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse

    : -55°C, Betriebstemperatur max.125W ±1000ppm/°C, 0805 (2012M) Gehäuse, Betriebstemperatur min.

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