Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-220AB
About The Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHP6N80AE-GE3
Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 0,95 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: SiHP6N80AE-GE3
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Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-220AB
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Specifications of Vishay E Series N-Kanal, THT MOSFET 850 V / 5 A, 3-Pin TO-220AB | |
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