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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Infineon OptiMOS 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

About The : 0,0011 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V

Infineon OptiMOS 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0011 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V

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Infineon OptiMOS 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

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Specifications of Infineon OptiMOS 5 IPB011N04LGATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 180 A, 7-Pin TO-263-7

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TE Connectivity Universal MATE-N-LOK Steckverbindergehäuse Stecker 6.35mm, 15-polig / 3-reihig Gerade, Kabelmontage für
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    • Molex C-Grid III Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,

    Molex C-Grid III Stiftleiste gewinkelt, 10-polig / 2-reihig, Raster 2.54mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,

    9mm, Passende Stiftlänge: 6.0A, Seriennummer: 90122, Anschlagstiftlänge: 2.54mm, Kabel-Platine, Lötanschluss-Anschluss,, Ummantelt/Nicht ummantelt: Nicht ummantelt, Montagetyp: Durchsteckmontage, Anschlussart: Löten, Kontaktmaterial: Messing, Kontaktbeschichtung: Gold, Nennstrom: 3.

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    • Infineon HEXFET AUIRFR48ZTRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 55 V / 62 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Infineon HEXFET AUIRFR48ZTRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 55 V / 62 A, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 0,011 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V.Infineon HEXFET AUIRFR48ZTRL N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 55 V / 62 A, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.

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    Infineon OptiMOS 5 BSC014N04LSTATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 205 A, 8-Pin TDSON

    : 2V.Infineon OptiMOS 5 BSC014N04LSTATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 205 A, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0014 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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    Infineon OptiMOS 5 BSC014N04LSTATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 205 A, 8-Pin TDSON

    : 0,0014 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V.Infineon OptiMOS 5 BSC014N04LSTATMA1 N-Kanal Dual, SMD MOSFET Transistor & Diode 40 V / 205 A, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.

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