TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 80mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 160MHz
About The TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 80mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 160MHz, Qualitätsfaktor min.25 x 0
TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 80mA mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 160MHz, Qualitätsfaktor min.: 45, Gleichstromwiderstand max.: 300mΩ, Abmessungen: 2 x 1.25 x 0.85mm, Tiefe: 1.25mm, Betriebstemperatur max.: +85°C, Induktivitätsbauweise: Mehrlagig, MPN: MLF2012A1R0KT000
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Passive Bauelemente > Induktivitäten > SMD-Induktivität
TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 80mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 160MHz
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Specifications of TDK MLF2012 SMD-Mehrschicht-Induktivität, 1 μH 80mA Mit Ferrit-Kern, 0805 (2012M) Gehäuse 2mm / ±10%, 160MHz | |
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