Infineon CoolMOS CFD IPW65R190CFDFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17,5 A 151 W, 3-Pin TO-247
About The .: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max
Infineon CoolMOS CFD IPW65R190CFDFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17,5 A 151 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 190 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 16.13mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon CoolMOS CFD IPW65R190CFDFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17,5 A 151 W, 3-Pin TO-247
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Infineon CoolMOS CFD IPW65R190CFDFKSA1 N-Kanal, THT MOSFET 650 V / 17,5 A 151 W, 3-Pin TO-247 | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
