Vishay SI1967DH-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,1 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363
About The Vishay SI1967DH-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,1 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 790 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay SI1967DH-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,1 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363, Drain-Source-Widerstand max.: 790 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Isoliert, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Länge: 2.2mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI1967DH-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,1 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363
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Specifications of Vishay SI1967DH-T1-GE3 P-Kanal Dual, SMD MOSFET 20 V / 1,1 A 1,25 W, 6-Pin SOT-363 | |
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