Vishay SI2377EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23
About The : –8 V, +8 V, Höhe: 1.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min
Vishay SI2377EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23, Gehäusegröße: SOT-23 (TO-236), Drain-Source-Widerstand max.: 165 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 1.02mm, Länge: 3.04mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI2377EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23
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Specifications of Vishay SI2377EDS-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 3,5 A 1,8 W, 3-Pin SOT-23 | |
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