Infineon SIPMOS BSS192PH6327FTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 190 mA 1 W, 3-Pin SOT-89, Drain-Source-Widerstand max.: 20 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
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Infineon SIPMOS BSS192PH6327FTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 190 MA 1 W, 3-Pin SOT-89
Specifications of Infineon SIPMOS BSS192PH6327FTSA1 P-Kanal, SMD MOSFET 250 V / 190 MA 1 W, 3-Pin SOT-89 | |
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