reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
Halbleiter
Diskrete Halbleiter
MOSFET
Infineon

Infineon BSC500N20NS3 G BSC500N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

About The : 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max

Infineon BSC500N20NS3 G BSC500N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON, Drain-Source-Widerstand max.: 50 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 20 V, Diodendurchschlagsspannung: 1.2V

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Infineon BSC500N20NS3 G BSC500N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET

Specifications of Infineon BSC500N20NS3 G BSC500N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON

Category
Instockinstock

Last Updated

Infineon BSC500N20NS3 G BSC500N20NS3GATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 200 V / 24 A 96 W, 8-Pin TDSON
More Varieties

Rating :- 9.48 /10
Votes :- 7