Vishay TrenchFET SI3421DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 0.0192 O, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SI3421DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A, 6-Pin TSOP-6
Specifications of Vishay TrenchFET SI3421DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 8 A, 6-Pin TSOP-6 | |
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