Vishay SI4850EY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC
About The : -20 V, +20 V, Höhe: 1.
Vishay SI4850EY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 47 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Höhe: 1.5mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay SI4850EY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Specifications of Vishay SI4850EY-T1-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 8,5 A 3,3 W, 8-Pin SOIC | |
|---|---|
| Category | |
| Instock | instock |
