Infineon IPC IPC50N04S55R8ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 x 6, Drain-Source-Widerstand max.: 0,0058 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 3.4V, Transistor-Werkstoff: Silicon
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Infineon IPC IPC50N04S55R8ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6
Specifications of Infineon IPC IPC50N04S55R8ATMA1 N-Kanal, SMD MOSFET 40 V / 50 A, 8-Pin SuperSO8 5 X 6 | |
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