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Weidmuller Weidmüller W Reihenklemmenblock Einfach Grün, Gelb, 50mm², 1 KV, Schraubanschluss

About The : -50°C, Betriebstemperatur (max.Weidmuller Weidmüller W Reihenklemmenblock Einfach Grün, Gelb, 50mm², 1 kV, Schraubanschluss, AWG: 14 → 0AWG, Anschlussart: Schrauben, Betriebstemperatur min

Weidmuller Weidmüller W Reihenklemmenblock Einfach Grün, Gelb, 50mm², 1 kV, Schraubanschluss, AWG: 14 → 0AWG, Anschlussart: Schrauben, Betriebstemperatur min.: -50°C, Betriebstemperatur (max.): +120°C, Erfüllte Normen: CE, RoHS, Modellnummer: WPE 50N, MPN: 1846040000

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Weidmuller Weidmüller W Reihenklemmenblock Einfach Grün, Gelb, 50mm², 1 KV, Schraubanschluss

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Specifications of Weidmuller Weidmüller W Reihenklemmenblock Einfach Grün, Gelb, 50mm², 1 KV, Schraubanschluss

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ASSMANN WSW ADT Sub-D Gehäuse Gerade, 9-polig, Größe E, aus PA

ASSMANN WSW ADT Sub-D Gehäuse Gerade, 9-polig, Größe E, aus PA

ASSMANN WSW ADT Sub-D Gehäuse Gerade, 9-polig, Größe E, aus PA, MPN: ADT 09/SCH.

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    • onsemi MMBT4403LG SMD, PNP Transistor –40 V / -600 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

    onsemi MMBT4403LG SMD, PNP Transistor –40 V / -600 mA 100 MHz, SOT-23 3-Pin

    : -40 V dc, Basis-Emitter Spannung max.: 225 mW, Transistor-Konfiguration: Einfach, Kollektor-Basis-Spannung max.: –5 V, Abmessungen: 3.11mm, Betriebstemperatur max.

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  • onsemi
    • Bivar LED-Halter für 5 mm (T-1 3/4) LED, Ø 5.1mm

    Bivar LED-Halter für 5 mm (T-1 3/4) LED, Ø 5.1mm

    1mm, Montage Typ: Tafelmontage, Serie: 909-235, MPN: 909-235 NT.Bivar LED-Halter für 5 mm (T-1 3/4) LED, Ø 5.

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    • Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    : 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.73mm, Betriebstemperatur max.

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    • Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252)

    Vishay SIHD2N80AE-GE3 N-Kanal, SMD MOSFET 800 V / 2,9 A 62,5 W, 3-Pin DPAK (TO-252), Drain-Source-Widerstand max.: 2,9 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.

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