Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
About The : 11,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: –8 V, +8 V, Höhe: 0
Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8, Drain-Source-Widerstand max.: 11,5 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –8 V, +8 V, Höhe: 0.78mm, Länge: 3.3mm
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8
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Specifications of Vishay TrenchFET SISS23DN-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 27 A 57 W, 8-Pin PowerPAK 1212-8 | |
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