Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
About The Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0044 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263), Drain-Source-Widerstand max.: 0,0044 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2V, Transistor-Werkstoff: Si, MPN: IPB100N06S2L05ATMA2
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263)
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Specifications of Infineon OptiMOS N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 100 A, 3-Pin D2PAK (TO-263) | |
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