Onsemi NVMTS0D7N06CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 477 A 294,6 W, 8-Pin DFNW8
About The : 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: 900 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max
onsemi NVMTS0D7N06CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 477 A 294,6 W, 8-Pin DFNW8, Drain-Source-Widerstand max.: 900 μΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 2.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±20 V, Automobilstandard: AEC-Q101
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Onsemi NVMTS0D7N06CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 477 A 294,6 W, 8-Pin DFNW8
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Specifications of Onsemi NVMTS0D7N06CLTXG N-Kanal, SMD MOSFET 60 V / 477 A 294,6 W, 8-Pin DFNW8 | |
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