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Toshiba TK099V65Z TK099V65Z,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 5-Pin DFN8x8

About The : 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon.Toshiba TK099V65Z TK099V65Z,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 5-Pin DFN8x8, Drain-Source-Widerstand max

Toshiba TK099V65Z TK099V65Z,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 5-Pin DFN8x8, Drain-Source-Widerstand max.: 0,09 Ω, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 4V, Anzahl der Elemente pro Chip: 1, Transistor-Werkstoff: Silicon

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Toshiba TK099V65Z TK099V65Z,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 5-Pin DFN8x8

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Specifications of Toshiba TK099V65Z TK099V65Z,LQ(S N-Kanal, SMD MOSFET 650 V / 30 A, 5-Pin DFN8x8

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