Infineon HEXFET IRFP1405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247
About The Infineon HEXFET IRFP1405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.29mm, Betriebstemperatur max
Infineon HEXFET IRFP1405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247, Drain-Source-Widerstand max.: 5,3 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -20 V, +20 V, Länge: 15.29mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRFP1405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247
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Specifications of Infineon HEXFET IRFP1405PBF N-Kanal, THT MOSFET 55 V / 160 A 310 W, 3-Pin TO-247 | |
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