Vishay E SIHU2N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,9 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
About The .: 2,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max
Vishay E SIHU2N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,9 A, 3-Pin IPAK (TO-251), Drain-Source-Widerstand max.: 2,5 Ω, Gate-Schwellenspannung max.: 2 → 4V
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Vishay E SIHU2N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,9 A, 3-Pin IPAK (TO-251)
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Specifications of Vishay E SIHU2N80AE-GE3 N-Kanal, THT MOSFET 800 V / 2,9 A, 3-Pin IPAK (TO-251) | |
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