Infineon HEXFET IRLTS2242TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
About The : 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1
Infineon HEXFET IRLTS2242TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6, Drain-Source-Widerstand max.: 55 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1.1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.4V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -12 V, +12 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder > Halbleiter > Diskrete Halbleiter > MOSFET
Infineon HEXFET IRLTS2242TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6
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Specifications of Infineon HEXFET IRLTS2242TRPBF P-Kanal, SMD MOSFET 20 V / 6,9 A 2 W, 6-Pin TSOP-6 | |
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