Eaton Bussmann SMD Induktivität, 150 μH 748mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz
About The : 648mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: DRA74-151-R.6mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 4
Eaton Bussmann SMD Induktivität, 150 μH 748mA AEC-Q200 mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz, Höhe: 4.35mm, Abmessungen: 7.6 x 7.6 x 4.35mm, Geschirmt: Ja, Gleichstromwiderstand max.: 648mΩ, Induktivitätsbauweise: Drahtgewickelt, MPN: DRA74-151-R
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Eaton Bussmann SMD Induktivität, 150 μH 748mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz
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Specifications of Eaton Bussmann SMD Induktivität, 150 μH 748mA AEC-Q200 Mit Ferrit-Kern, 74 Gehäuse 7.6mm / ±20%, 100kHz | |
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