Infineon HEXFET IRFB23N15DPBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 136 W, 3-Pin TO-220AB, Drain-Source-Widerstand max.: 90 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 5.5V, Gate-Schwellenspannung min.: 3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 10.54mm, Betriebstemperatur max.: +175 °C
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Infineon HEXFET IRFB23N15DPBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 136 W, 3-Pin TO-220AB
Specifications of Infineon HEXFET IRFB23N15DPBF N-Kanal, THT MOSFET 150 V / 23 A 136 W, 3-Pin TO-220AB | |
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