ROHM RQ5A040ZP RQ5A040ZPTL P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3, Drain-Source-Widerstand max.: 110 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung max.: 1V, Gate-Schwellenspannung min.: 0.3V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: ±10 V, Länge: 3mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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ROHM RQ5A040ZP RQ5A040ZPTL P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3
Specifications of ROHM RQ5A040ZP RQ5A040ZPTL P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 4 A 1 W, 3-Pin TSMT-3 | |
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