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Elektronische Bauelemente & Stromversorgung und Steckverbinder
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Legrand DIN-Schienen-Trafo, 24VA, Primär 215V Ac, 230V Ac, 245V Ac / Sekundär 24V Ac DIN-Hutschiene 1 Ausg., 94mm X

About The 6kg, MPN: 0 442 14.: +50°C, Gewicht: 2

Legrand DIN-Schienen-Trafo, 24VA, Primär 215V ac, 230V ac, 245V ac / Sekundär 24V ac DIN-Hutschiene 1 Ausg., 94mm x, Breite: 112mm, Tiefe: 113mm, Abmessungen: 94 x 112 x 113mm, Betriebsfrequenz min.: 50Hz, Betriebsfrequenz max.: 60Hz, Temperatur max.: +50°C, Gewicht: 2.6kg, MPN: 0 442 14

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Legrand DIN-Schienen-Trafo, 24VA, Primär 215V Ac, 230V Ac, 245V Ac / Sekundär 24V Ac DIN-Hutschiene 1 Ausg., 94mm X

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Specifications of Legrand DIN-Schienen-Trafo, 24VA, Primär 215V Ac, 230V Ac, 245V Ac / Sekundär 24V Ac DIN-Hutschiene 1 Ausg., 94mm X

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Phoenix Contact RC-15P2300 Rundsteckverbinderkontakt Gedreht Stecker Größe 1.5mm Crimp, 0,14→ 0,56 mm2

Phoenix Contact RC-15P2300 Rundsteckverbinderkontakt Gedreht Stecker Größe 1.

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    • RS PRO Steckverbinder-Haube, M32, Seiteneingang, IP65

    RS PRO Steckverbinder-Haube, M32, Seiteneingang, IP65

    RS PRO Steckverbinder-Haube, M32, Seiteneingang, IP65, Serie: RS-H16B, Zur Verwendung mit: RS Pro Einsätze in robuster Ausführung und Kabelverschraubungen in PG- oder M.

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    • Ecliptek Oszillator,XO, 12.288MHz, 45ppm, CMOS, SMD

    Ecliptek Oszillator,XO, 12.288MHz, 45ppm, CMOS, SMD

    288MHz, 45ppm, CMOS, SMD, MPN: EC3645ETTTS-12.288M TR.

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    • Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin

    Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin

    1 x 1.Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin, Organisation: 32 K x 8 bit, Zugriffszeit max.9 x 8.

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    Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin

    : 10ns, Low Power: Ja, Timing Typ: Asymmetrisch, Montage-Typ: SMD, Abmessungen: 11.1 x 1.Infineon 256kbit LowPower SRAM-Speicherbaustein 32k 100MHz, 8bit / Wort 8bit, 4,5 V bis 5,5 V, TSOP 28-Pin, Organisation: 32 K x 8 bit, Zugriffszeit max.9 x 8.

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