Onsemi QFET FQA32N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 32 A 204 W, 3-Pin TO-3PN
About The onsemi QFET FQA32N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 32 A 204 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: +150 °C
onsemi QFET FQA32N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 32 A 204 W, 3-Pin TO-3PN, Drain-Source-Widerstand max.: 82 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 2V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: -30 V, +30 V, Länge: 15.8mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C
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Onsemi QFET FQA32N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 32 A 204 W, 3-Pin TO-3PN
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Specifications of Onsemi QFET FQA32N20C N-Kanal, THT MOSFET 200 V / 32 A 204 W, 3-Pin TO-3PN | |
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