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Onsemi PowerTrench FDS6675BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

About The : 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.onsemi PowerTrench FDS6675BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max

onsemi PowerTrench FDS6675BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC, Drain-Source-Widerstand max.: 13 mΩ, Channel-Modus: Enhancement, Gate-Schwellenspannung min.: 1V, Transistor-Konfiguration: Einfach, Gate-Source Spannung max.: –25 V, +25 V, Länge: 5mm, Betriebstemperatur max.: +150 °C

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Onsemi PowerTrench FDS6675BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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Specifications of Onsemi PowerTrench FDS6675BZ P-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 11 A 2,5 W, 8-Pin SOIC

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